Introduktion til UV-lysemitterende dioder
Ultraviolette lysemitterende dioder henviser til lysemitterende dioder (LED'er), der udsender næsten ultraviolet lys med en bølgelængde på ca. 400 nm. Ultraviolet lys bruges ofte til at identificere falske pengesedler, og noget UV LED-belysning er populært på natklubber og fester, hvor de bruges til at få fluorescerende stoffer til at lyse lysere.
Belysningsprincip
Ultraviolet lysemitterende diode refererer til en lysemitterende diode (led), der udsender næsten ultraviolet lys. Dens lysemitterende princip er det samme som for almindelige lysemitterende dioder. Det grundlæggende i, hvordan halvledermaterialer kan producere lys, er blevet forstået for 50 år siden, med de første kommercielle dioder produceret i 1960. Led er forkortelsen af engelsk lysemitterende diode (lysemitterende diode). Dens grundlæggende struktur er et stykke elektroluminescerende halvledermateriale, som placeres på en blyindfattet hylde og derefter forsegles med epoxyharpiks omkring det for at beskytte den indre kernetråd, så LED'en har god stødmodstand. Kernedelen af den lysemitterende diode er en wafer sammensat af p-type halvleder og n-type halvleder, og der er et overgangslag mellem p-type halvleder og n-type halvleder, kaldet pn junction. I pn-krydset mellem nogle halvledermaterialer, når de injicerede minoritetsbærere rekombineres med flertalsbærerne, frigives den overskydende energi i form af lys og derved direkte omdanner elektrisk energi til lysenergi. Når den omvendte spænding påføres pn-krydset, er det vanskeligt for minoritetsbærere at injicere, så det udsender ikke lys. Denne form for diode fremstillet af princippet om injektionselekluminescens kaldes lysemitterende diode, almindeligvis kendt som led. Når den er i en fremadrettet arbejdstilstand (det vil sige en fremadspænding påføres begge ender), når strømmen strømmer fra LED-anoden til katoden, udsender halvlederkrystallen lys i forskellige farver fra ultraviolet til infrarød, og lysets intensitet er relateret til strømmen.
Tekniske egenskaber
1) 3535 SMD LED violet lys vedtager glasindkapsling og forniklet legeringsskal, hvilket yderligere forbedrer lyseffektiviteten af violet lys, reducerer dæmpelsen af violet lys, og forlænger levetiden. 2) Begge stifter er forgyldte. 3) Høj lysstyrke. 4) Kvaliteten er stabil og pålidelig.
Lyskilde bølgelængde
1. Lilla: 405nm - ren lilla 400nm - dyb lilla 2. Nær-ultraviolet lys 395nm - rødlig dyb lilla uv-en type ultraviolet lys 3.370nm - næsten usynligt lys, der viser en mørk farve, når den filtreres af træglas Dyb lilla. 4. Ultraviolet lys (uv) steriliseringslampe λρ=254nm eller 253,7nm, punktlyskilde λρ=365nm, ozondannelse under λρ=185nm--vakuum ultraviolet (uv-v), bølgelængde 100-200nm -- kortbølge ultraviolet (uv-c) ), bølgelængden er 200-280nm -- mellembølge ultraviolet (uv-b), bølgelængden er 280-315nm -- langbølge ultraviolet (uv-a), bølgelængden er 315-380nm -- det synlige lys (synligt lys), bølgelængden er 400— 760nm
Udviklingssag
Amerikanske forskere har med succes produceret ultraviolette lysdioder (lysdioder) med en bølgelængde på 255nm og en effekt på 0,57w og en bølgelængde på 250nm og en effekt på 0,16w. Enheden er endnu ikke pakket, og holdet håber at øge effektniveauet med en faktor 3 til 5 gennem flip-chip-binding. Den ultradybe ultraviolette (uduv) lyskilde i dette bånd kan erstatte kviksølvpærer i fremtiden som excitationslyskilde til biologiske og kemiske sensorer. Asif khan et al. fra University of South Carolina har dyrket alganlag af høj kvalitet, der indeholder op til 72% aluminium og brugt dem som beklædning i lysemitterende diodestrukturer til fremstilling af uduvkomponenter. Ved hjælp af safir som LED-substrat deponerede forskerne et alnbufferlag som det første lag, efterfulgt af et ti-lags aln / algan-supergitter efterfulgt af en 1,4 mikron tyk al0.72ga0.28n batchbeklædning. Holdet sagde, at alganlaget med et aluminiumindhold på 72% blev valgt for at gøre materialet stadig gennemsigtigt ved en bølgelængde på 250 nm, og dette lag er nøglen til at bestemme komponentens ydeevne. Det aktive område indeholder tre kvantebrønde, og emissionsbølgelængden kan justeres mellem 250 og 200 nm ved at ændre aluminiumindholdet. Forskerne testede et 200 kvadrat-mikron modul med en bølgelængde på 255nm og et 150-kvadrat-mikron modul med en bølgelængde på 250nm under pulserende biased betingelser. Excitationsstrømmene svarende til de to maksimale udgangseffekt var henholdsvis 200ma og 300ma. , er emitterens eksterne kvanteeffektivitet henholdsvis 0,015 % og 0,01 %.
Ansøgning felt
UV-lysemitterende dioder anvendes i vid udstrækning i: metalrevner, revnedetektion, fotokatalyskilde, valutadetekterings- og tælleudstyr, antiforfalskningsindustri og medicinsk måling og biometrisk sikkerhedsdetektion, hydraulisk lækagedetektion og andre felter.
Udsigter
Højeffektive dyb ultraviolette lysdioder med bølgelængder mellem 220nm og 350nm anvendes i vid udstrækning til sterilisering, vandrensning, medicinsk behandling, optisk optagelse med høj densitet, LED-belysning med høj farvegengivelse og højhastighedsnedbrydning og behandling af forureningsstoffer. Indtil videre er UV-lasere og gaslamper med gas og faste medier som excimerlasere og forskellige frekvensfordoblingslasere mainstream af dybe ultraviolette lyskilder, men de har ulemperne ved stor størrelse, kort levetid og høj pris, som er vanskelige at anvende praktisk. Brugen af halvleder høj lysstyrke dyb-ultraviolette lysdioder og dyb-ultraviolette lds kan opnå miniaturisering og opnå en billig, effektiv og langvarig ultraviolet lyskilde, og applikationsudsigterne er bredere.
