Som en klasse af optoelektroniske integrerede enheder integrerer organiske lys-emitterende felt-effekttransistorer (OLET'er) to enhedsfunktioner, organiske felt-effekttransistorer (OFET'er) og organisk lys{{3 }}emitterende dioder (OLED'er), i samme enhed, med høj integration og enklere integrationsprocesser. Det har vigtig videnskabelig og teknisk betydning inden for områderne ny fleksibel skærm og organisk pumpet laser.
In recent years, Dong Huanli's research group from the Organic Solids Laboratory, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences has been working on the preparation of OLET core high-mobility light-emitting organic semiconductor materials ( Nat. Commun., 2015, 6, 100032; J. Am. Chem. Soc., 2017, 139, 17261; J. Am. Chem. Soc., 2020, 142, 6332; Angew. Chem. Int. Ed., 2021. 60, 14902) and OLET device construction (Adv. Mater., 2019, 31, 1903175; Angew. Chem. Int. Ed., 2021, 60, 20274; Adv. Mater., 2021, 2007149; Adv. Mater., 2021, 2100704).
Forskere har foreslået en ny type traditionel lodret OLET-enhed med en kompleks proces, dårlig stabilitet og lavt blændeforhold forårsaget af det lineære lys i forhold til behovene fra forskellige skærmapplikationer såsom morfologiske, lave-omkostninger og nem tilpasning. -emitterende form for plane OLET-enheder. Den plane overfladelyskilde forlader OLET-enhedens struktur (CTB-OLET, figur 1).
Figur 1 En ny type flad overflade lyskilde OLET displayenhed primitiv
I enhedsstrukturen indføres et ladningstransportbufferlag (CTB-lag) mellem den-lysemitterende enhed og transportlaget, som effektivt regulerer strømfordelingen under det drænende lys-emitterende lag og spiller en vigtig rolle i emissionen af overfladelyskilder. effekt.
Simuleringer viser, at introduktionen af CTB ladningstransportlaget i den plane OFET-enhed ændrer den laterale elektriske feltfordeling i den traditionelle plane OFET-enhed, hvorved ensartetheden af ladningsfordelingen under drænelektroden forbedres. Dette fænomen opnås ved at designe den delte elektrodeanordningsstruktur. Godt bekræftet.
Based on this device structure, a suitable light-emitting layer was introduced to prepare a flat surface light source OLET display device element with RGB three primary colors, which showed good gate control capability (on-off ratio>10 6 ) and was not immune to gate voltage. Affects the shape of the area light's glow.
Further due to the flexible design of the device structure, a large aperture ratio OLET display device based on a U-shaped drain electrode was studied and prepared (in the case of considering the area occupied by necessary components such as supporting circuits and switching transistors in the actual pixel, the opening rate can still be >80 procent).
Samtidig er det, som en unik spændingsdrevet- displayenhed, let at opnå et mættet driftsområde, hvilket viser god stabilitet uafhængigt af kilde-drænspænding. Denne flad-integrerede OLET-skærmenhed med stort blændeforhold har unikke fordele ved lav-temperaturbehandling, lysfleksibilitet og kompatibilitet med OLED-processer. gode ansøgningsmuligheder.
For nylig blev de relaterede forskningsresultater offentliggjort i Advanced Materials. Forskningsarbejdet blev støttet af Kinas National Natural Science Foundation, Ministeriet for Videnskab og Teknologi og Det Kinesiske Videnskabsakademi.
